| 发明名称 | 释放负离子人造大理石材料及其制造技术 | ||
| 摘要 | 释放负离子人造大理石材料及其制造技术采用可释放负离子的安娜奥系列负离子添加剂系列超细粉体，通过掺杂共混的方法创制了安娜奥系列负离子添加剂，加入到聚氨酯、聚醚、聚苯乙烯、聚氯乙烯等高分子材料中，成功的生产出具有释放负离子的水族功能材料。可释放负离子的安娜奥系列的超细微粉在组合料中具有非常好的分散性，在加工过程中不存在任何工艺缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105602171A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510559035.3 | 申请日期 | 2015.09.06 |
| 申请人 | 北京森源华诚科技发展有限公司 | 发明人 | 李青山;李柏峰;刘焕萍;张超辉;王万琪;张妮 |
| 分类号 | C08L33/12(2006.01)I;C08L67/06(2006.01)I;C08L51/08(2006.01)I;C08K13/02(2006.01)I;C08K3/34(2006.01)I | 主分类号 | C08L33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 释放负离子人造大理石材料及其制造技术，其特征在于：它是由下述质量配比的原料制成的，配方：发明配方：不饱和聚酯10‑100；过氧化苯甲酰0.2‑4；二甲基苯胺0.1‑4；苯乙烯或甲基丙烯酸甲酯树脂3‑55；安娜奥系列负离子添加剂0.1‑30；助剂0‑10；色浆0‑20；促进剂0.1‑3。 | ||
| 地址 | 100020 北京市朝阳区雅宝里甲16号屯宝中心3楼 | ||