自对准二维晶体材料场效应半导体器件及其制备方法

摘要

自对准二维晶体材料场效应半导体器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的半导体器件包括栅电极区、源电极区和漏电极区，其特征在于，还包括二维晶体材料层，所述二维晶体材料层连接源电极和漏电极，且跨过栅电极区的局部，二维晶体材料层和其下方的栅电极区之间为栅介质氧化层。使用本发明的自对准工艺可自动实现器件栅电极与源和漏电极位置的对准，从而大大减小了栅与源和漏电极的覆盖电容，这对于提高器件工作频率具有重要意义。另一方面，栅与源和漏电极自对准的器件结构大大降低了栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间的沟道层即二维晶体材料的寄生电阻，这同样有利于提高器件的工作频率。

主权项

自对准二维晶体材料场效应半导体器件，包括栅电极区、源电极区和漏电极区，其特征在于，还包括二维晶体材料层，所述二维晶体材料层连接源电极和漏电极，且跨过栅电极区的局部，二维晶体材料层和其下方的栅电极区之间为栅介质氧化层。