一种Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜及其电化学制备方法

摘要

本发明涉及一种Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜及其电化学制备方法，分别以硫酸铜，硫酸锌，硫酸亚锡和硫代硫酸钠作为铜、锌、锡、硫源，以焦磷酸钾和磺基水杨酸作为添加剂配制电解液，并调节pH值为5-7，在室温下电沉积，得到Cu₂ZnSnS₄预沉积薄膜，然后将Cu₂ZnSnS₄预沉积薄膜在硫粉和惰性气氛保护下于400-600℃下保温15-90min，得到Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的，且适用于作为太阳能电池吸收层的Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜，对于薄膜的化学成分具有可控性强，重复性好的特点，且适用于大面积制备。

主权项

一种Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜的电化学制备方法，其特征在于，分别以硫酸铜，硫酸锌，硫酸亚锡和硫代硫酸钠作为铜、锌、锡、硫源，以焦磷酸钾和磺基水杨酸作为添加剂配制电解液，并调节pH值为5‑7，在室温下电沉积，得到Cu₂ZnSnS₄预沉积薄膜，然后将Cu₂ZnSnS₄预沉积薄膜在硫粉和惰性气氛保护下于400‑600℃下保温15‑90min，得到Cu₂ZnSnS₄半导体薄膜。