发明名称 | 一种制备金刚石晶体薄膜材料的装置和方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种制备金刚石薄膜材料的装置和方法,属于金刚石薄膜技术领域。所述的装置包括:真空系统、热丝阵列、带石英管的CVD炉、电控部分。金刚石晶体薄膜的制备方法、步骤包括:硅片清洗、金刚石粉末研磨;在所述装置的热丝CVD炉中,气体为H<sub>2</sub>、CH<sub>4</sub>,通过去离子水的H<sub>2</sub>的气氛下,生长得到金刚石晶体薄膜。本发明制备的金刚石晶体薄膜具有结晶度高、质量好,厚度均匀等特点。所述设备具有成本低、易于维护的特点。金刚石晶体薄膜的制备方法具有生长速度快、薄膜样品表面均匀,易实现工业生产等优点。 | ||
申请公布号 | CN105603385A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
申请号 | CN201610027740.3 | 申请日期 | 2016.01.15 |
申请人 | 山西大学 | 发明人 | 范修军;赵岩;王娟娟;张献明 |
分类号 | C23C16/27(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I |
代理机构 | 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 | 代理人 | 张福增 |
主权项 | 一种制备金刚石薄膜材料的装置,其特征在于,包括CVD炉(1)、石英管(2),石英管(2)通过CVD炉(1),所述石英管(2)中设置两根水平平行排列的钼棒(3),钼棒(3)的一端与电控系统通过电线(4)相连,另一端设有热丝阵列,每根热丝(5)与钼棒用石墨螺丝(6)固定,石英管(2)两端密封,并在靠近电控系统一端设置进气管(7),进气管(7)连接气体流量控制系统,另一端设置出气管(8),出气管(8)连接真空系统。 | ||
地址 | 030006 山西省太原市小店区坞城路92号 |