СПОСІБ ЛЕГУВАННЯ КРИСТАЛІВ ZnSe<Te> РІДКІСНОЗЕМЕЛЬНИМИ ЕЛЕМЕНТАМИ

摘要

Спосіб легування кристалів ZnSe рідкісноземельними елементами включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 K. Відпал пластин ZnSe товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу t, який розраховується за формулою t≥4·10·d, с, де d – вимірюється в см.