发明名称 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
摘要 本发明公开了一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法,属于微电子产品可靠性测试与寿命预测技术领域。该方法步骤为:(1)测量待测样品的初始电阻,设定电阻变化阈值;(2)在恒温条件下对测试样品施加电流载荷,测试样品的电阻变化,进一步得出电迁移指数前因子A、电流常数n和电迁移激活能Q<sub>em</sub>;(3)在温度循环载荷下测试样品的电阻变化,进一步得出非弹性剪切应变范围Δγ<sub>0</sub>,疲劳延性指数c,疲劳延性系数ε<sub>f</sub>;(4)在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下测试样品的电阻变化,进一步得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l;(5)对应不同电流密度和温度循环条件,根据公式(3)计算微电子产品的服役寿命。
申请公布号 CN103884927B 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201210563466.3 申请日期 2012.12.21
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 郭敬东;祝清省;刘志权;崔学顺;吴迪;张磊;曹丽华
分类号 G01R31/00(2006.01)I 主分类号 G01R31/00(2006.01)I
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人 许宗富;周秀梅
主权项 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法,其特征在于:该方法首先在特定实验条件下测试微电子产品单场电迁移、单一热循环和力电热多场耦合条件下样品的平均失效时间,然后通过多场耦合条件下的服役寿命评价公式及测试中得到的参数,计算出不同电流密度和温度循环条件下微电子产品的服役寿命;具体包括如下步骤:(1)测量待测样品的初始电阻,设定电阻变化阈值;(2)在恒温条件下对测试样品施加电流载荷,测试样品的电阻变化;以样品电阻变化超过阈值为样品失效判据,测试样品的平均失效时间MTTF;根据公式(1)得出电迁移指数前因子A、电流常数n和电迁移激活能Q<sub>em</sub>;<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>M</mi><mi>T</mi><mi>T</mi><mi>F</mi><mo>=</mo><msup><mi>Aj</mi><mrow><mo>-</mo><mi>n</mi></mrow></msup><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><msub><mi>Q</mi><mrow><mi>e</mi><mi>m</mi></mrow></msub><mrow><mi>k</mi><mi>T</mi></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000893384740000011.GIF" wi="1534" he="126" /></maths>其中:j为电流密度,k为玻尔兹曼常数,T为温度;(3)在温度循环载荷下测试样品的电阻变化;以样品电阻变化超过阈值为样品失效判据,测试样品的平均失效时间N<sub>f0</sub>;然后根据公式(2)得出非弹性剪切应变范围Δγ<sub>0</sub>;<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>N</mi><mrow><mi>f</mi><mn>0</mn></mrow></msub><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&Delta;&gamma;</mi><mn>0</mn></msub></mrow><mrow><mn>2</mn><msub><mi>&epsiv;</mi><mi>f</mi></msub></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mrow><mn>1</mn><mo>/</mo><mi>c</mi></mrow></msup><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000893384740000012.GIF" wi="1531" he="143" /></maths>其中,疲劳延性指数c和疲劳延性系数ε<sub>f</sub>为由材料自身决定的常数;(4)在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下测试样品的电阻变化;以样品电阻变化超过阈值为样品失效判据,测试样品在多场耦合条件下的平均失效时间N<sub>f</sub>;然后根据公式(3)得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l;<img file="FDA0000893384740000013.GIF" wi="1580" he="279" />其中,Δt为温度循环周期;(5)计算微电子产品的服役寿命:根据公式(3)计算不同电流密度和温度循环条件下微电子产品的服役寿命;所述特定实验条件是指:测试电流密度范围为1×10<sup>3</sup>~9.9×10<sup>4</sup>A/cm<sup>2</sup>;测试温度范围为‑50~200℃,升温速度10~50℃/分钟,降温速度10‑50℃/分钟,温度循环周期15~120分钟;温度循环的最低温度‑50~20℃可调,保温时间1~45分钟可调;温度循环的最高温度60~200℃可调,保温时间1~45分钟可调。
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