一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法

摘要

本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上，结合独特的设计，不借助于电子束或聚焦离子束直写，仅用接触式曝光技术结合精确控制地牺牲层腐蚀技术，实现了氧化硅纳米岛阵列的精确定位加工制造。方法设计精巧，工艺简单，制作成本低，易于批量制造。

主权项

一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备；具体步骤是：1)提供一单抛硅片；2)在所述硅片上生长SiO₂薄膜；3)进行第一次光刻工艺，将所述SiO₂薄膜图形化，形成第一腐蚀窗口；4)进行BOE腐蚀工艺，沿第一腐蚀窗口去除暴露的SiO₂薄膜，腐蚀结束后去除光刻胶；5)进行第二次光刻工艺，将剩余的SiO₂薄膜图形化，形成第二腐蚀窗口；第二腐蚀窗口略小于第一次光刻工艺中的未曝光区域；6)进行BOE腐蚀工艺，沿第二腐蚀窗口去除暴露的SiO₂薄膜，并继续进行第一次牺牲层腐蚀，形成SiO₂纳米线，腐蚀结束后去除光刻胶；7)进行第三次光刻工艺，将SiO₂纳米线图形化，形成第三腐蚀窗口；8)进行BOE腐蚀工艺，沿第三腐蚀窗口去除暴露的SiO₂，并继续进行第二次牺牲层腐蚀，形成SiO₂纳米岛阵列，腐蚀结束后去除光刻胶；所述步骤3)、5)、7)中的光刻工艺为接触式曝光光刻，所述步骤4)、6)、8)中的BOE腐蚀工艺为常温下的湿法腐蚀工艺。