| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，形成贯穿所述掩膜层厚度的开口；对所述开口的侧壁进行氧化处理，形成氧化层；刻蚀所述氧化层、掩膜层、垫衬氧化层和半导体衬底，至剩余部分厚度的掩膜层以及位于其侧壁上的氧化层，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明浅沟槽隔离结构的形成方法能够避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽，提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌，进而提高包含所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103811403B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201210454954.0 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张翼英 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，形成贯穿所述掩膜层厚度的开口；对所述掩膜层的上表面和所述开口的侧壁进行氧化处理，形成氧化层；刻蚀所述氧化层、掩膜层、垫衬氧化层和半导体衬底，至剩余部分厚度的掩膜层以及位于其侧壁上的氧化层，形成隔离沟槽，所述部分厚度的掩膜层以及位于其侧壁上的氧化层位于衬垫氧化层上；在所述隔离沟槽内形成浅沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||