| 发明名称 |
ドープされた低温バッファ層を備えるシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ |
| 摘要 |
A pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) comprises a substrate comprising a Group III-V semiconductor material, a buffer layer disposed over the substrate, wherein the buffer layer comprises microprecipitates of a Group V semiconductor element and is doped with an N-type dopant, and a channel layer disposed over the buffer layer. |
| 申请公布号 |
JP5927168(B2) |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
| 申请号 |
JP20130233877 |
申请日期 |
2013.11.12 |
| 申请人 |
アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド |
发明人 |
ジョナサン・アブロクウォー;ネイサン・パーキンス;ジョン・スタンバック;フィルバート・マーシュ;ハンズ・ジー・ローディン |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/324;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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