半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体基板，所述半导体基板具有限定有源区的沟槽。在有源区的沿着纵向延伸的侧壁上形成壁氧化物，并且在沟槽中形成元件隔离层。制造半导体器件的方法包括：在半导体基板上形成线形的第一沟槽以限定有源区；在第一沟槽的表面上形成壁氧化物；形成将有源区分成多个有源区的第二沟槽；以及用元件隔离层填充沟槽。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成线形的第一沟槽以在相邻的所述第一沟槽之间限定线形的有源区，所述第一沟槽沿着所述半导体基板的整个长度连续地形成；在所述第一沟槽的表面上形成壁氧化物；形成第二沟槽，所述第二沟槽将位于彼此相邻的所述第一沟槽之间的所述有源区分成多个分开的有源区；以及用元件隔离层填充表面上形成有所述壁氧化物的所述第一沟槽、以及所述第二沟槽。