存储元件和存储装置

摘要

本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，关于与存储层接触的绝缘层以及在绝缘层的相反侧与存储层接触的另一侧层，至少与存储层接触的界面由氧化膜构成，并且除了Co-Fe-B磁性层之外，存储层还包括非磁性金属和氧化物中的至少一种。

主权项

一种存储元件，包括：层结构，其中，所述层结构包括，存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息变化，磁化固定层，具有垂直于所述膜面并且成为在所述存储层中所存储的所述信息的基准的磁化，以及绝缘层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并且由非磁性材料构成，在所述层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的所述磁化方向变化，并且对所述存储层执行信息记录，所述存储层所接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量，关于与所述存储层接触的所述绝缘层以及在所述绝缘层的相反侧与所述存储层接触的另一侧层，至少与所述存储层接触的界面由氧化膜构成，并且除了Co‑Fe‑B磁性层之外，所述存储层还包括非磁性金属和氧化物中的至少一种，其中，所述层结构包括被设置为与所述存储层接触的所述另一侧层的第二绝缘层，并且通过所述第二绝缘层设置有第二磁化固定层。