| 发明名称 | 场致离子发射体的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场致离子发射体制备方法，包括在碳纳米管阵列表面，通过热蒸镀或者电子束蒸发、磁控溅射方法在碳纳米管阵列表面镀上一层低熔点金属铟(In)或镓(Ga)，作为场致发射的发射体。本发明的制备方法可以降低场致离子发射体的制备难度，减小发射体的尺寸，从而提高场致离子发射器的整体性能。将该发射体放入场致离子发射测试装置，其可以在1500V电压下实现发射。而一般采用微米级尖状发射体发射电压需要3000-5000V。 | ||
| 申请公布号 | CN105609394A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201610104405.9 | 申请日期 | 2016.02.25 |
| 申请人 | 北京卫星环境工程研究所 | 发明人 | 刘宇明;张凯;李蔓;赵春晴;刘向鹏 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I;F03H1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种场致离子发射体制备方法，包括如下步骤：在碳纳米管阵列表面，通过热蒸镀或者电子束蒸发、磁控溅射方法在碳纳米管阵列表面镀上一层低熔点金属铟(In)或镓(Ga)，作为场致发射的发射体。 | ||
| 地址 | 100094 北京市海淀区友谊路104号 | ||