| 发明名称 |
反熔丝单次可编程存储器及实现方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种反熔丝单次可编程存储器，包括：选择单元、至少两个反熔丝单元，均位于半导体衬底内及表面；所述半导体衬底包括有源区，所述选择单元的栅极垂直覆盖于部分有源区；所述至少两个反熔丝单元的栅极分别覆盖于另一部分有源区上；选择单元与至少两个反熔丝单元共用同一有源区。 |
| 申请公布号 |
CN105609485A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
| 申请号 |
CN201510965826.6 |
申请日期 |
2015.12.22 |
| 申请人 |
格科微电子(上海)有限公司 |
发明人 |
陈晓亮;俞大立;黄泽 |
| 分类号 |
H01L23/525(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种反熔丝单次可编程存储器，包括：选择单元、至少两个反熔丝单元，均位于半导体衬底内及表面；所述半导体衬底包括有源区，所述选择单元的栅极垂直覆盖于部分有源区；所述至少两个反熔丝单元的栅极分别覆盖于另一部分有源区上；选择单元与至少两个反熔丝单元共用同一有源区；所述选择单元和反熔丝单元的栅氧化层通过同一工艺步骤形成，并且厚度相同。 |
| 地址 |
201203 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼 |
