一种MOS管构成的过压欠压断电保护电路

摘要

本发明公开了一种MOS管构成的过压欠压断电保护电路，包括上、下限电压检测单元和PMOS功率开关管；上限电压检测单元包括NMOS管、PMOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻；下限电压检测单元包括串联的第一电阻和第二电阻；电源端和电源地间串联第三电阻和第四电阻，第三电阻和第四电阻的共同连接点连接NMOS管的栅极；第五电阻和第六电阻串联在NMOS管的漏极和电源端之间，第五电阻和第六电阻的共连端连接至PMOS管的栅极，PMOS管的源极接电源端，PMOS管的漏极连接在第一电阻和第二电阻的公共连接端。本发明的电路，欠压、过压关断时不会造成电源重启，结构简单，利于电源小型化，节约成本。

主权项

一种MOS管构成的过压欠压断电保护电路，其特征是，包括上限电压检测单元、下限电压检测单元和串联在电源端线路上的PMOS功率开关管；上限电压检测单元包括NMOS管、PMOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻；下限电压检测单元包括第一电阻和第二电阻；第三电阻的一端连接电源端Vin，另一端连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端连接电源地，第三电阻和第四电阻的共同连接点连接NMOS管的栅极；第五电阻和第六电阻串联在NMOS管的漏极和电源端Vin之间，第五电阻和第六电阻的共连端连接至PMOS管的栅极，PMOS管的源极连接电源端Vin，PMOS管的漏极连接在第一电阻和第二电阻的公共连接端，第一电阻和第二电阻串接在电源端Vin和电源地之间；PMOS功率开关管的栅极连接在第一电阻和第二电阻的公共连接端。