发明名称 LOWER ELECTRODE ASSEMBLY OF PLASMA PROCESSING CHAMBER
摘要 플라즈마 프로세싱 챔버에 사용하는 하부 전극 어셈블리는 금속 베이스 및 상부 및 하부 에지 링들을 포함한다. 금속 베이스는 함께 납땜되고 그 금속 베이스의 하측면 상의 납땜선, 하측면으로부터 내측으로 수평으로 연장하는 에지 링 지지면 및 에지 링 지지면 위의 상측면을 형성하는 금속판들을 포함한다. 상부 에지 링은 에지 링 지지면 상에 장착된 하면을 포함하고, 하부 에지 링은 상부 에지 링과 하부 에지 링의 대향면들 사이 및 금속 베이스의 외주부와 하부 에지 링 사이의 갭을 갖고 금속 베이스의 하측면을 둘러싼다. 갭은 납땜선의 위치에서의 아크발생을 방지하기에 충분한 평균 갭 폭에 대한 총 갭 길이의 종횡비를 갖는다.
申请公布号 KR101624123(B1) 申请公布日期 2016.05.25
申请号 KR20157022860 申请日期 2009.10.29
申请人 램 리써치 코포레이션 发明人 오거스티노 제이슨;차우 취안;가프 키스 윌리엄;하 한 투옹;리차드슨 브렛 씨.;싱 하르미트
分类号 H01J37/20;H01J37/32 主分类号 H01J37/20
代理机构 代理人
主权项
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