多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管的制造方法，涉及显示领域，该方法形成的多晶硅层晶化率高、晶粒均匀、晶界缺陷少，从而可改善多晶硅薄膜晶体管的电学性能，提高多晶硅薄膜晶体管的可靠性。本发明所述多晶硅层的制作方法，包括：提供一基底；在所述基底上依次形成阻挡层和缓冲层；通过构图工艺在所述缓冲层中设置多个沟槽，并在所述缓冲层之上形成籽晶；在设置有沟槽的所述缓冲层及所述籽晶上，形成非晶硅层；采用热处理工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层。本发明用于该进多晶硅薄膜质量。

主权项

一种多晶硅层的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；形成缓冲层；通过构图工艺在所述缓冲层中设置多个沟槽，并在所述缓冲层之上形成籽晶，具体包括：在所述缓冲层上形成第一非晶硅层，将所述第一非晶硅层转化为第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上涂覆光刻胶，经过多阶或半色调曝光、显影后，在后续形成所述沟槽的预设位置形成光刻胶完全剥离的第一窗口区域，在后续形成所述籽晶的预设位置形成第二厚度的光刻胶，其余区域形成第一厚度的光刻胶，且所述第二厚度大于所述第一厚度，进行刻蚀，去除所述第一窗口区域露出的第一多晶硅层及部分缓冲层，形成所述沟槽，进行灰化处理，去除第一厚度的光刻胶，进行刻蚀，去除露出的第一多晶硅层，进行灰化处理，去除剩余的第二厚度的光刻胶，形成籽晶；在设置有沟槽的所述缓冲层及所述籽晶上，形成非晶硅层；采用热处理工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层。