| 摘要 |
Halbleiterbauelement mit einem Trägersubstrat (1), in dem voneinander beabstandete Source-/Draingebiete (S, D) zum Festlegen eines Kanalgebietes ausgebildet sind; einem Gatestapel mit einem Gate-Dielektrikum (2), das an der Oberfläche des Trägersubstrats (1) im Bereich des Kanalgebietes ausgebildet ist, und mit zumindest einer Steuerschicht (3, 3a), die an der Oberfläche des Gate-Dielektrikums (2) ausgebildet ist; und einer Spacerstruktur (5, 6a, 7), die an den Seitenwänden des Gatestapels ausgebildet ist und jeweils einen Luftspalt-Spacer (6a) aufweist, wobei die Spacerstruktur ferner jeweils einen Abschattungs-Spacer (7) aufweist, der aus einer sich bogenförmig von einem oberen Bereich der Steuerschicht (3, 3a) bis zur Oberfläche des Trägersubstrats (1) erstreckenden Schicht besteht und zumindest einen Bodenbereich (BB) des Luftspalt-Spacers (6a) abschattet, und wobei der Abschattungs-Spacer (7) bezogen auf die Oberfläche des Trägersubstrats (1) über die Steuerschicht (3, 3a) hinausragt. |
