发明名称 从光子器件的热移除
摘要 本发明涉及从光子器件的热移除。本描述的实施例涉及用于使热量通过微电子衬底从光子器件传递到热耗散器件的机构。在一个实施例中,微电子衬底可包括高导热介质材料。在另一实施例中,微电子衬底可包括在微电子衬底内的传导插入物,其中光子器件与接近微电子衬底的一个表面的传导插入物热接触,以及热耗散器件与接近微电子衬底的相对表面的传导插入物热接触。在又另一实施例中,具有基底部分和基架部分的阶梯式散热器具有穿过微电子衬底插入的基架部分,其中光子器件与接近微电子衬底的一个表面的基架部分热接触,且热耗散器件与基底部分热接触。
申请公布号 CN105600739A 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201510659811.7 申请日期 2015.10.14
申请人 英特尔公司 发明人 Z.李;Q.谭;Q.于
分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王岳;张涛
主权项  一种光子封装,其包括:微电子衬底,其具有第一表面和相对的第二表面;光子器件,其接近于所述微电子衬底第一表面,其中所述光子器件包括活性表面和相对的背表面;阶梯式散热器,其包括基底部分和从所述基底部分延伸的基架部分,其中所述基架部分延伸穿过所述微电子衬底;其中所述阶梯式散热器基底部分接近所述微电子衬底第二表面,以及其中所述阶梯式散热器基架部分包括基本上对于所述微电子衬底第一表面是平面的第一表面;以及其中所述光子器件背表面与所述阶梯式散热器基架部分第一表面热接触。
地址 美国加利福尼亚州