发明名称 用于运行化学敏感的场效应晶体管的方法
摘要 一种用于运行具有栅极接头(2)的化学敏感的场效应晶体管(1)的方法,其中至少在运行所述场效应晶体管(1)期间至少在所述场效应晶体管(1)的一部分内以下述方式产生至少一个电场:至少在所述场效应晶体管(1)的邻接所述栅极接头(2)的区域内所存在的能动的离子积聚在所述场效应晶体管(1)的能预先给定的区域内并且保持在那里。
申请公布号 CN105612420A 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201480056571.5 申请日期 2014.10.06
申请人 罗伯特·博世有限公司 发明人 J.格拉夫;F.赫南德茨吉伦
分类号 G01N27/414(2006.01)I 主分类号 G01N27/414(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 周志明;傅永霄
主权项 用于运行具有栅极接头(2)的化学敏感的场效应晶体管(1)的方法,其特征在于,至少在运行所述场效应晶体管(1)期间至少在所述场效应晶体管(1)的一部分内以下述方式产生至少一个电场:至少在所述场效应晶体管(1)的邻接所述栅极接头(2)的区域内所存在的能动的离子积聚在所述场效应晶体管(1)的能预先给定的区域内并且保持在那里。
地址 德国斯图加特