发明名称 |
一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备,涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金,具有很高的有效自旋极化率,良好的半金属性,使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应,而反铁磁层采用多铁性材料,不但具备各种单一的铁性,还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应,表现出磁电耦合效应,因此,通过改变反铁磁层的厚度变化,来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用,就可以获得整个异质结构的磁性变化,获得一个具有振荡形式的交换偏置效应,基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。 |
申请公布号 |
CN105609630A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201610070644.7 |
申请日期 |
2016.02.01 |
申请人 |
唐山市众基钢结构有限公司;苗君 |
发明人 |
叶钊赫;叶建国;苗君 |
分类号 |
H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 |
代理人 |
蔡纯;冯丽欣 |
主权项 |
一种铁磁‑反铁磁薄膜异质结构,包括层叠设置的反铁磁层(2)和铁磁层(3),其特征在于:所述铁磁层(3)的材料为全哈斯勒合金;所述反铁磁层(2)的材料为多铁性材料。 |
地址 |
063100 河北省唐山市古冶区经济开发区 |