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Elektronische Vorrichtung, die einen PNP-Bipolartransistor (1) umfasst, der einen Emitter (4), eine Basis und einen Kollektor (2) aufweist, wobei ein Basissenkengebiet (3) ein erstes Gebiet (11) mit einer ersten Konzentration eines ersten Dotierungsmittels zum Ausbilden eines elektrisch aktiven Basisgebiets (11) des PNP-Bipolartransistors (1) und ein zweites Gebiet (12) mit einer zweiten Konzentration des ersten Dotierungsmittels an der Oberfläche des Basissenkengebites (3) aufweist, und wobei das erste Gebiet (11) durch ein Gebiet (13) mit einer dritten Konzentration des ersten Dotierungsmittels von dem zweiten Gebiet (12) getrennt ist und wobei die dritte Konzentration niedriger als die erste und die zweite Konzentration ist, wobei das zweite Gebiet (12) eine zusätzliche Oberflächendotierung ausbildet, die an eine Basissenkenoxidgrenzfläche angrenzt, und sich das an der Oberfläche des Basissenkengebiets (3) vorhandene zweite Gebiet (12) über die gesamte Oberfläche des Basissenkengebiets (3) einschließlich des aktiven Basisgebiets (11) und des Emitters (4) erstreckt, und in dem Gebiet des Emitters (4) die erste Dotierung des zweiten Gebiets (12) mit einem Dotierungsmittel zweiten Typs überschrieben ist, wobei das erste Dotierungsmittel Phosphor ist, und wobei ausgehend von der Basissenkenoxidgrenzfläche das zweite Gebiet (12) zwischen 5 nm und 25 nm ausgedehnt ist und die zweite Konzentration im zweiten Gebiet zwischen 5·1018cm–3 und 5·1019 cm–3 ist und die dritte Konzentration im dritten Gebiet (13) etwa 1·1018 cm–3 beträgt. |
