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Verfahren zur Überprüfung einer Schutzschaltung eines ionensensitiven Feldeffekttransistors (1), der auf einem Substrat (2) aufgebaut ist, mit einem Drain-Anschluss (D), Source-Anschluss (S), Bulk-Anschluss (B) und Gate-Anschluss (G), umfassend die Schritte Einprägen einer ersten elektrischen Größe zumindest zwischen einem der Anschlüsse Drain (D) und Bulk (B) oder Source (S) und Bulk (B), Messen zumindest einer zweiten elektrischen Größe zwischen einem der Anschlüsse Drain (D) und Bulk (B) oder Source (S) und Bulk (B), Entscheiden, ob die Messungen jeweils innerhalb eines Toleranzbereichs von vorgegebenen Werten liegen, und Ausgeben einer Fehlermeldung, wenn zumindest einer der gemessenen Werte außerhalb des entsprechenden Toleranzbereichs liegt. |
