具有金属栅电极层的半导体结构形成方法

摘要

一种具有金属栅电极层的半导体结构形成方法，包括：提供基底，基底表面形成有第一替代栅电极层、第二替代栅电极层，刻蚀阻挡层和层间介质层；平坦化层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出第一替代栅电极层和第二替代栅电极层；去除第一替代栅电极层形成第一开口，并填充第一开口形成第一金属栅电极层；平坦化第一金属栅电极层、层间介质层、刻蚀阻挡层和第二替代栅电极层，在第一金属栅电极层表面形成保护层；去除第二替代栅电极层形成第二开口，并填充第二开口形成第二金属栅电极层；平坦化第二金属栅电极层、层间介质层、刻蚀阻挡层和第一金属栅电极层。利用本发明所提供的半导体结构形成方法可以提高具有金属栅电极层的半导体结构的性能。

主权项

一种具有金属栅电极层的半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一替代栅电极层和第二替代栅电极层，以及覆盖所述第一替代栅电极层和第二替代栅电极层的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层表面形成有层间介质层，所述第一替代栅电极层与所述基底之间以及所述第二替代栅电极层与所述基底之间形成有高K栅介质层；平坦化所述层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出所述第一替代栅电极层和第二替代栅电极层；去除所述第一替代栅电极层，形成第一开口，去除所述第一开口底部的氧化层，并填充所述第一开口，形成第一金属栅电极层；平坦化所述第一金属栅电极层、所述层间介质层、所述刻蚀阻挡层以及所述第二替代栅电极层，并在所述第一金属栅电极层表面形成保护层；去除所述第二替代栅电极层，形成第二开口，清洗所述第二开口底部的氧化层，并填充所述第二开口，形成第二金属栅电极层；平坦化所述第二金属栅电极层、所述层间介质层、所述刻蚀阻挡层以及所述第一金属栅电极层。