立体发光LED芯片灯丝及LED灯泡

摘要

本发明的立体发光LED芯片灯丝，包括长条形透明支架和沿透明支架上设有若干分体二极发光体，其透明支架构成整体芯片的支架，分体二极发光体包括依次层叠设置的N-GaN层、MQW发光层、P-GaN层，N-GaN层表面设有N电极，P-GaN层表面设有P电极，在N电极和P电极处的分体二极发光体表面设有SiO₂钝化层，在N电极和P电极的上表面在所对的SiO₂钝化层处形成露空的导通窗口，SiO₂钝化层外覆盖金属线路连接外层使相邻分体二极发光体之间的N电极和P电极依次串联导通、两端为N电极和P电极的外接电极延伸端，其线路串联工艺形成整体式分体二极发光体的立体发光LED芯片灯丝及其应用LED灯泡，通过线路串联工艺有效导通同时实现具有良好连接稳定性能和导热效果。

主权项

一种立体发光LED芯片灯丝，包括长条形透明支架(1)和沿透明支架(1)上设有的多个分体二极发光体(2)，透明支架(1)构成芯片整体衬底，分体二极发光体(2)包括依次层叠设置的N‑GaN层(21)、MQW发光层(22)、P‑GaN层(23)，N‑GaN层(21)表面设有N电极(21a)，P‑GaN层(23)表面设有P电极(23a)，在N电极(21a)和P电极(23a)处的分体二极发光体(2)表面设有SiO₂钝化层(3)，在N电极(21a)和P电极(23a)的上表面在所对的SiO₂钝化层(3)处形成露空的导通窗口，SiO₂钝化层(3)外覆盖金属线路连接外层(4)使相邻分体二极发光体(2)之间的N电极(21a)和P电极(23a)依次串联导通、两端为N电极(21a)和P电极(23a)的外接电极延伸端，透明支架(1)为蓝宝石，N‑GaN层(21)宽度大于P‑GaN层(23)，在一侧形成露台，N电极(21a)设置在露台上，N电极(21a)和P电极(23a)的上下位置可以对调设置，N电极(21a)和P电极(23a)为印刷金属或合金电极层，两端的N电极(21a)和P电极(23a)的金属线路连接外层(4)延伸至透明支架(1)两端部，N‑GaN层(21)和P‑GaN层(23)为透明化合物半导体，透明支架(1)为长条状，分体二极发光体(2)沿透明支架(1)长度方向等距设置，所述透明支架(1)两端设有金属连接件(5)，金属连接件内侧设有呈U字型卡口(5a)，U字型卡口(5a)卡扣在透明支架两端与N电极(21a)和P电极(23a)上形成接触电连接，由整块的透明基板形成若干等宽的可分离第一折断痕(11)，可折断痕之间形成等宽条状的透明支架(1)，各个金属连接件(5)并排，后侧设有辅助支架(5b)连接形成连体的金属连接件组，金属连接件(5)和辅助支架(5b)之间分别设有可分离第二折断痕(5c)，其中，该立体发光LED芯片灯丝由下列加工方法制成：(1)将整块的透明支架形成100块等宽为1毫米的透明支架，其之间可折断痕，可折断痕之间形成等宽条状的透明支架；(2)等距排列布设构成分体二极发光体的N‑GaN层、MQW发光层、P‑GaN层；(3)再用整体设置SiO₂钝化层，在N电极和P电极的上表面处形成露空的导通窗口；(4)在相邻分体二极发光体之间的SiO₂钝化层外覆盖金属线路，通过蚀刻工艺保留使N电极和P电极依次串联导通的金属线路连接外层；(5)在透明基板两端将所述的连体支架上的100个金属连接件与步骤1的透明支架对应卡扣电连接并设粘胶固定；(6)沿可折断痕将辅助支架与金属连接件分离；(7)沿可折断痕依次分离透明支架制成多个立体发光LED芯片灯丝。