发明名称 处理基片的方法和装置
摘要 本申请描述用于处理基片的至少部分区域的数种方法和装置。在所述方法中,将至少一种液体施加到基片至少一个部分区域,并向此液体引入电磁辐射,以根据各方法达到所需效果。在一种方法中,在施加液体前通过UV辐射在液体中产生自由基,其中在产生自由基之后立即将液体施加到基片。在一种方法中,将电磁辐射引入所述液体,使得至少一部分辐射到达基片表面。在另一种方法中,将预定范围波长的UV辐射引导通过所述液体,到所述基片表面的至少该部分区域上。方法可在共同装置中以任何所需次序连续和/或并行进行。
申请公布号 CN102791391B 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201080050483.6 申请日期 2010.03.15
申请人 聚斯微技术光掩膜设备有限责任两合公司 发明人 U·迪策;P·德雷斯;S·辛格
分类号 B08B7/00(2006.01)I;G03F1/82(2012.01)I;H01L21/67(2006.01)I 主分类号 B08B7/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 林毅斌;杨思捷
主权项 用于清洗基片的至少部分区域的方法,所述方法包括以下步骤:通过使液体流过流室,将液体施加到所述基片的至少部分区域,其中所述流室具有指向到所述基片上的出口;在液体施加到基片前,通过UV辐射在所述液体中产生自由基,其中在液体沿着UV辐射源流动的同时,将UV辐射引入液体中,其中所述UV辐射源至少部分布置在所述流室的出口中,UV辐射源发射辐射进入所述流室和所述出口中的液体,致使在产生所述自由基之后立即将液体施加到基片,使得至少一部分自由基到达基片。
地址 德国施泰嫩费尔斯