发明名称 |
一种抗硅抗硫中毒的热线型甲烷传感器 |
摘要 |
本发明公开了一种抗硅抗硫中毒的热线型甲烷传感器,其包括设置成热线型结构的催化元件和参考元件,所述催化元件包括活性炭颗粒载体以及在所述活性炭颗粒载体上固载的SnO<sub>2</sub>气敏层、Pt/Pd催化剂和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>分离层,所述参考元件包括氧化铝小球以及在所述氧化铝小球上固载的掺入导电炭黑的SnO<sub>2</sub>-C/TiO<sub>2</sub>-C气敏层、Au/CuO催化剂、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>分离层。本发明在考虑制作成本和保证寿命的条件下,采用热线型结构,重点集中解决了如何提高SnO<sub>2</sub>元件对甲烷检测的灵敏度、线性输出、选择性、抗中毒和稳定性的问题。 |
申请公布号 |
CN105606656A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201510750344.9 |
申请日期 |
2015.11.06 |
申请人 |
上海戴维蓝普传感技术有限公司 |
发明人 |
郑锐;李嘉明;李鑫 |
分类号 |
G01N27/04(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种抗硅抗硫中毒的热线型甲烷传感器,其特征在于,包括设置成热线型结构的催化元件和参考元件,所述催化元件包括活性炭颗粒载体以及在所述活性炭颗粒载体上固载的SnO<sub>2</sub>气敏层、Pt/Pd催化剂和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>分离层,所述参考元件包括氧化铝小球以及在所述氧化铝小球上固载的掺入导电炭黑的SnO<sub>2</sub>‑C/TiO<sub>2</sub>‑C气敏层、Au/CuO催化剂、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>分离层。 |
地址 |
200120 上海市浦东新区周浦镇沪南公路3736弄5号2幢3楼 |