利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法

摘要

本发明公开了一种利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法，包括：按照传统的方法加工玻璃基底，对所述玻璃基底的镀膜面进行抛光；将得到的抛光的玻璃基底的镀膜面进行镀铂膜，并进行热处理；将得到的镀铂膜的玻璃基底卡设在可转动卡具上，利用激光直写技术扫描镀铂膜面的玻璃基底以得到具有预设图案以及特定宽度的铂电阻；对所述铂电阻进行银浆描涂引线操作，并经过热处理使银浆浆料烘干和固结。本发明方法制造整体式薄膜铂电阻传感器加工周期短、成品率高、大幅度提高了产品的生产效率和质量。

主权项

一种利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法，包括以下步骤：步骤一、按照传统的方法加工玻璃基底，对所述玻璃基底的镀膜面进行抛光；步骤二、将所述步骤一得到的抛光的玻璃基底的镀膜面进行镀铂膜，并进行热处理；步骤三、将所述步骤二得到的镀铂膜的玻璃基底卡设在可转动卡具上，利用激光直写技术扫描镀铂膜面的玻璃基底以得到具有预设图案以及特定宽度的铂电阻；步骤四、对所述铂电阻进行银浆描涂引线操作，并经过热处理使银浆浆料烘干和固结。