| 摘要 |
u자형 FinFET을 갖는 반도체 디바이스 및 그 형성 방법들이 개시된다. 반도체 디바이스는 기판, 기판 위의 핀(fin)을 포함하며, 핀은 제1 아암 부분 및 제2 아암 부분을 구비하여 위에서 볼 때 u자 형상을 가지고, 제1 아암 부분 및 제2 아암 부분을 연결하는 브릿지 부분을 구비한다. 반도체 디바이스는 기판 위의 제1 게이트를 더 포함하고, 제1 게이트는 제1 아암 부분 및 제2 아암 부분과 브릿지 부분 모두에서 핀과 맞물린다. FinFET의 소스 영역은 제1 아암 부분에 형성되고, FinFET의 드레인 영역은 제2 아암 부분에 형성되고, FinFET의 채널 영역은 소스 영역과 드레인 영역 사이의 핀에 형성된다. |
