| 发明名称 |
一种具有部分埋氧结构的IGBT |
| 摘要 |
本实用新型公开一种具有部分埋氧结构的IGBT，包括：N-型基区；位于所述N-型基区下表面内两侧的两个埋氧；位于所述N-型基区下表面内中部、所述两个埋氧之间的背P+发射区；位于所述N-型基区上表面内两侧的两个P型基区；位于所述两个P型基区上表面内中部的两个N+集电区；位于所述N-型基区上表面以及所述P型基区和N+集电区部分上表面的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶栅。本实用新型利用在N-型基区背面引入I层二氧化硅，改变了器件内部电势的分布，从而使耐压得到提高。 |
| 申请公布号 |
CN205264711U |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
| 申请号 |
CN201520989870.6 |
申请日期 |
2015.12.03 |
| 申请人 |
厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
发明人 |
陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 |
| 分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于，包括：N‑型基区(1)；位于所述N‑型基区(1)下表面内两侧的两个埋氧(4)；位于所述N‑型基区(1)下表面内中部、所述两个埋氧(4)之间的背P+发射区(3)；位于所述N‑型基区(1)上表面内两侧的两个P型基区(2)；位于所述两个P型基区(2)上表面内中部的两个N+集电区(5)；位于所述N‑型基区(1)上表面以及所述P型基区(2)和N+集电区(5)部分上表面的栅氧化层(6)；位于所述栅氧化层(6)上表面的多晶栅(7)。 |
| 地址 |
361008 福建省厦门市软件园二期观日路48号701单元 |
