一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法

摘要

本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。

主权项

一种用于GaN外延衬底表面高精度抛光的方法，包括：用机械研磨方法对GaN晶体进行表面平整化加工；取下细抛的GaN晶体，依次使用丙酮、乙醇、去离子水清洗GaN的表面，氮气吹干后使用热塑型导电胶把GaN晶体固定在阳极金属压块上，晶体作为阳极连接直流电源的正极，抛光盘作为阴极连接在直流电源的负极上；使用电解液作为抛光液，保持抛光液温度为15‑30℃，调节GaN晶体抛光面的电流密度0.001‑0.5A/cm²，压力为0.001‑0.2MPa，抛光盘的转速为10‑180rpm，在抛光盘旋转的同时,GaN晶体保持自转，自转的速率为10‑200rpm；其中抛光液为草酸、柠檬酸、磷酸、NaOH溶液、KOH溶液、氨水、或含络合剂、螯合剂或表面活性剂的上述溶液。