| 发明名称 | 一种半导体结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a）提供SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅极堆叠；b）对源区和漏区进行非晶化注入，其中源区非晶化注入中的工艺温度高于漏区非晶化注入中的工艺温度；c）进行源/漏区掺杂；d）退火，激活杂质，并使源/漏区的非晶化区域重结晶。步骤b）的源区非晶化注入中，工艺温度高于50℃，并且漏区非晶化注入中，工艺温度低于-30℃。本发明通过在源区下方产生缺陷，为体区积累的电荷提供泄放通道，减小浮体效应的影响，提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103681509B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201210362169.2 | 申请日期 | 2012.09.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅极堆叠；b)对源区和漏区进行非晶化注入，其中源区非晶化注入中的工艺温度高于漏区非晶化注入中的工艺温度；c)进行源/漏区掺杂；d)退火，激活杂质，并使源/漏区的非晶化区域重结晶。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||