| 发明名称 | 一种多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管及制作方法和显示装置，所述多晶硅薄膜晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的隔离层；形成于所述衬底和所述隔离层上的多晶硅有源层，在所述有源层的两侧形成有两个源漏离子注入区，其中，所述隔离层的两端边缘在所述有源层的两端边缘内。在本发明提供的多晶硅薄膜晶体管及其制作方法中，能够增大有源层的晶粒尺寸，提高其沟道区的晶粒均匀性，有效避免有源层受背光照射特性恶化，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104779300B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510182184.2 | 申请日期 | 2015.04.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘政;龙春平;詹裕程;陆小勇;李小龙 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的隔离层；形成于所述衬底和所述隔离层上的多晶硅有源层，在所述有源层的两侧形成有两个源漏离子注入区，其中，所述隔离层的两端边缘在所述有源层的两端边缘内；还包括：形成于所述衬底和所述隔离层之间的非晶硅层，所述非晶硅层与所述有源层的位置相对应，所述非晶硅层的两侧形成有两个源漏离子注入区。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||