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Eine rückwärtsleitende Halbleitervorrichtung (100) weist eine Hochkonzentrations-Anodenschicht (42) und eine Sperr-Metallschicht (52) auf, wobei die Breite der Hochkonzentrations-Anodenschicht (42) größer festgelegt ist als die Kontaktbreite zwischen der Sperr-Metallschicht (52) und der Hochkonzentrations-Anodenschicht (42), wodurch sichergestellt wird, dass die Kontaktfläche zwischen der Sperr-Metallschicht (52) und der Hochkonzentrations-Anodenschicht (42) konstant ist. |
