发明名称 |
半导体装置的制造方法及半导体装置 |
摘要 |
本发明提供半导体装置的制造方法,其在将大面积、薄型的基板密封时也能够抑制翘曲,并获得一种倒装构装后的半导体元件已充分进行底部填充且密封层没有空隙或未填充情况的,耐热、耐湿可靠性等密封性能优良的半导体装置。其特征在于,包括密封工序,使用附有基材的密封材料来将半导体元件安装基板的元件安装面总括地密封,附有基材的密封材料具有基材和热固化性树脂层,热固化性树脂层形成在基材的一个表面,半导体元件安装基板通过倒装构装来安装半导体元件而成,密封工序包括:一体化阶段,在真空度10kPa以下的减压条件,将半导体元件安装基板与附有基材的密封材料一体化;加压阶段,以0.2MPa以上的压力对一体化后的基板加压。 |
申请公布号 |
CN105609429A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201510802639.6 |
申请日期 |
2015.11.19 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
中村朋阳;秋叶秀树;塩原利夫 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张永康;李英艳 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其包括密封工序,所述密封工序是使用附有基材的密封材料来将半导体元件安装基板的元件安装面总括地密封,所述附有基材的密封材料具有基材和热固化性树脂层,所述热固化性树脂层是形成在该基材的一个表面,所述半导体元件安装基板是通过倒装构装来安装半导体元件而成,并且,前述密封工序包括下述阶段:一体化阶段,该一体化阶段是在真空度10kPa以下的减压条件下,将前述半导体元件安装基板与前述附有基材的密封材料一体化;及,加压阶段,该加压阶段是以0.2MPa以上的压力来对前述一体化后的基板加压。 |
地址 |
日本东京都 |