| 摘要 |
L'invention porte sur une diode électroluminescente (1) à base de GaN comportant une zone active (4) disposée entre une couche dopée n (2) et une couche dopée p (3) qui forment ensemble une jonction p-n, caractérisée en ce que la zone active (4) comprend au moins une couche émissive dopée n (7-1, 7-2, 7-3, 7-4, 7-5). L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une telle diode. |
