一种高亮度正装发光二极管

摘要

一种高亮度正装发光二极管，涉及发光二极管技术领域。本实用新型包括衬底以及置于衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。在N型半导体层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。其结构特点是，所述P型半导体层分割成若干块P型半导体层分区，所述透明导电层相应的分割成若干块透明导电层分区。分离的P型半导体层分区和覆盖在P型半导体层分区上方的透明导电层分区组成P型欧姆接触层分区，P型欧姆接触层分区之间依次通过P电极延伸线连接。同现有技术相比，本实用新型改善了正装芯片的电流分布状况，同时改变了正装芯片出光表面的物理结构，有利于提高LED发光亮度和降低器件的整体压降。

主权项

一种高亮度正装发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型半导体层（2）、发光层（3）、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构，在N型半导体层（2）上的一端置有N型电极（7），透明导电层上、与N型电极（7）相对的另一端置有P型电极（6），其特征在于：所述P型半导体层分割成若干块P型半导体层分区（41），所述透明导电层相应的分割成若干块透明导电层分区（51），分离的P型半导体层分区（41）和覆盖在P型半导体层分区（41）上方的透明导电层分区（51）组成P型欧姆接触层分区，P型欧姆接触层分区之间依次通过P电极延伸线（61）连接。