发明名称 |
ELEKTRODENKONFIGURATIONEN ZUM ERHÖHEN DER ELEKTROTHERMISCHEN ISOLATION VON PHASENWECHSELSPEICHER-ELEMENTEN UND ZUGEHÖRIGE TECHNIKEN |
摘要 |
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschreiben Elektrodenkonfigurationen zum Erhöhen der elektrothermischen Isolation von Phasenwechselspeicher- Elementen und zugehörige Techniken. In einer Ausführungsform enthält eine Vorrichtung mehrere Phasenwechselspeicher-Elemente (PCM-Elemente), wobei individuelle PCM-Elemente aus den mehreren PCM-Elementen eine Phasenwechselmaterialschicht, eine erste Elektrodenschicht, die auf der Phasenwechselmaterialschicht und in direktem Kontakt mit der Phasenwechselmaterialschicht angeordnet ist, und eine zweite Elektrodenschicht, die auf der ersten Elektrodenschicht und in direktem Kontakt mit der ersten Elektrodenschicht angeordnet ist, enthalten. Weitere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht sein. |
申请公布号 |
DE102015116760(A1) |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
DE201510116760 |
申请日期 |
2015.10.02 |
申请人 |
Intel Corporation |
发明人 |
Pellizzer, Fabio;Albini, Guilio;Russell, Stephen W.;Hineman, Max F.;Rangan, Sanjay |
分类号 |
H01L27/24;G11C13/00;H01L45/00 |
主分类号 |
H01L27/24 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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