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Halbleitervorrichtung (100, 100a, 101a–101d) mit: einer Anzahl n (n ≥ 2) von Transistorelementen (Tr1–Trn), die voneinander isoliert und getrennt und in Reihe nacheinander zwischen einem GND-Potential und einem vorgegebenen Potential verbunden sind, worin ein Transistorelement (Tr1) auf der Seite des GND-Potentials als eine erste Stufe und ein Transistorelement (Trn) auf der Seite des vorgegebenen Potentials als eine n-te Stufe eingestellt sind, worin ein Gate-Anschluss des Transistorelements bei der ersten Stufe als Eingangsanschluss eingestellt ist; und einer Anzahl n von Widerstandselementen oder Kapazitätselementen (R1–Rn), die nacheinander in Reihe zwischen dem GND-Potential und dem vorgegebenen Potential miteinander verbunden sind, worin ein Widerstands- oder Kapazitätselement (R1) auf der Seite des GND-Potentials als erste Stufe und ein Widerstands- oder Kapazitätselement (Rn) auf der Seite des vorgegebenen Potentials als n-te Stufe eingestellt sind, worin Gate-Anschlüsse der Transistorelemente bei den jeweiligen Stufen mit Verbindungspunkten (P2–Pn) zwischen den in Reihe miteinander verbundenen Widerstands- oder Kapazitätselementen (R1–Rn) bei den jeweiligen Stufen nacheinander verbunden sind, wobei das Transistorelement bei der ersten Stufe ausgeschlossen ist, und worin von dem Anschluss auf der Seite des vorgegebenen Potentials des Transistorelements (Trn) der n-ten Stufe eine Ausgabe entnommen wird, worin die Transistorelemente (Tr1–Trn) in einer SOI-Schicht (1) eines Halbleitersubstrats (11), das eine SOI-Struktur mit einem eingefügten Oxidfilm (3) aufweist, ausgeformt und voneinander durch sich zu dem eingefügten Oxidfilm (3) erstreckende Isolier- und Trenngräben (TR1–TRn) isoliert und getrennt sind und n-gemultiplexte Isolier- und Trenngräben (T1–Tn), die sich zu dem eingefügten Oxidfilm (3) erstrecken, ausgeformt sind, und die n Transistorelemente (TR1–TRn), welche voneinander isoliert und getrennt sind, in den jeweiligen Bereichen, die von den n-gemultiplexten Isolier- und Trenngräben (T1–Tn) umgeben sind, nacheinander angeordnet sind, so dass Transistorelemente bei höheren Stufen an der Innenseite angeordnet sind. |
