| 发明名称 | 光电子器件和用于该光电子器件制造的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电子半导体器件（10），其具有半导体本体（1）、介电层（2）、镜（3）和附加层（4）。所述半导体本体（1）具有用于产生电磁辐射的有源区（1c）、用于电接触的n型接触部（1a）和p型接触部（1b）。所述介电层（2）设置在半导体本体（1）和镜（3）之间。附加层（4）设置在半导体本体（1）和介电层（2）之间。此外，提出一种用于制造这种器件（10）的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103168369B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201180050595.6 | 申请日期 | 2011.10.17 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 沃尔夫冈·施密德;克里斯托夫·克伦普;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 |
| 分类号 | H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 光电子半导体器件(10)，具有载体(5)、半导体本体(1)、介电层(2)、镜(3)和附加层(4)，其中‑所述半导体本体(1)具有用于产生电磁辐射的有源区(1c)、用于电接触的n型接触部(1a)和p型接触部(1b)，‑所述介电层(2)设置在半导体本体(1)和镜(3)之间，‑所述附加层(4)设置在半导体本体(1)和介电层(2)之间，‑在所述p型接触部(1b)的区域中，所述附加层(4)具有留空部，‑所述附加层(4)具有GaP、InGaAlP或InAlP，其中在InGaAlP或InAlP的情况下在此将铝含量选择成，使得在由所述有源区(1c)发射的辐射的发射波长中不出现基本吸收，‑半导体本体(1)和所述有源区(1c)包含In<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>Al<sub>l‑x‑y</sub>P或In<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>Al<sub>l‑x‑y</sub>As，其中0≤x、y≤1且x+y≤1，并且‑所述半导体本体(1)施加在载体(5)上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||