| 发明名称 | 通过注入和照射制备衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备衬底(1)的方法，所述方法的目的是通过用光通量(F)照射衬底而使称为脱离层的层从所述衬底上脱离，所述照射用来对所述衬底的隐埋区域加热并使该区域中的材料分解，从而使所述脱离层脱离，所述方法的特征在于包括以下步骤：a)制造中间衬底，所述中间衬底包括称为隐埋层的第一层(2)和称为覆盖层的第二层(4)，所述第二层(4)覆盖第一层(2)的全部或一部分，-所述覆盖层(4)对所述光通量(F)基本透明，-通过在所述衬底中注入粒子而形成的所述隐埋层(2)则能够吸收所述通量(F)，b)对所述隐埋层(2)的被称为处理区域的区域进行选择性的绝热照射，直至构成所述隐埋层的材料因此发生至少部分分解。 | ||
| 申请公布号 | CN102986019B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201180030389.9 | 申请日期 | 2011.06.08 |
| 申请人 | 索泰克公司 | 发明人 | M·布鲁尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种制备衬底(1)的方法，所述方法的目的是通过用光通量(F)照射衬底而使称为脱离层的层从所述衬底上脱离，所述照射用来加热所述衬底的隐埋区域并使所述区域中的材料分解，从而使所述脱离层脱离，所述方法的特征在于包括以下步骤：a)制造中间衬底，所述中间衬底包括称为隐埋层的第一层(2)和称为覆盖层的第二层(4)，所述第二层(4)覆盖所述第一层(2)的全部或一部分，所述覆盖层(4)是所述脱离层，‑所述覆盖层(4)对所述光通量(F)基本透明，‑通过注入粒子而形成的所述隐埋层(2)则能够吸收所述通量(F)，b)对所述隐埋层(2)的被称为处理区域的区域进行选择性的绝热照射，直至构成所述隐埋层(2)的材料因此发生至少部分分解；其中，所述粒子是包括在H<sup>+</sup>和He<sup>+</sup>的组中的离子，并且注入剂量为10<sup>14</sup>～2·10<sup>16</sup>个原子·cm<sup>‑2</sup>。 | ||
| 地址 | 法国伯尔宁 | ||