半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的顶面和侧壁上、以及所述半导体衬底上形成阻挡层；在所述栅极结构两侧的所述阻挡层上形成第一层间介质层；在所述栅极结构两侧形成第一金属连线；去除所述阻挡层，在所述栅极结构两侧形成空气间隙。通过在金属连线之间形成空气间隙，降低了寄生电容，有利于减小RC延迟。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中具有源/漏极；阻挡层，位于所述栅极结构的两侧，并覆盖所述半导体衬底，所述阻挡层为刻蚀停止层；第一金属连线，用于将所述源/漏极引出，其特征在于，引出所述源极或所述漏极的第一金属连线分别与所述栅极结构之间具有空气间隙；以及第二金属连线，分别位于所述栅极结构上和所述第一金属连线上，用于进一步将所述源/漏极和栅极引出；所述第一金属连线先于所述第二金属连线形成；其中，所述空气间隙是通过去除在所述栅极结构的顶面和侧壁上的所述阻挡层，在所述栅极结构两侧形成的。