一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法

摘要

本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III-V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。

主权项

一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，其特征在于：所述探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III‑V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III‑V族材料，势阱层p型掺杂浓度介于3×10¹⁷cm^‑3至5×10¹⁸cm^‑3之间。