Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelement

摘要

Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem Graben, eine Gateisolierschcht und eine Geteelektrode. In einer Seitenfläche des Grabens ist eine Stufe angeordnet. Das Halbleitersubstrat umfasst einen ersten und einen zweiten Bereich, einen Körperbereich und einen Seitenbereich. Der Körperbereich erstreckt sich von einer Position, die mit ersten Bereich in Kontakt steht, bis zu einer Position, die sich mit Bezug auf die Stufe auf der unteren Seite befindet. Der Körperbereich steht an einem Abschnitt der oberen Seitenfläche, der sich mit Bezug auf den ersten Bereich auf einer unteren Seite befindet, mit der Gateisolierschicht in Kontakt. Der zweite bereich befindet sich auf einer Unterseite des Körperbereichs und steht an der unteren Seitefläche mit der Gateisolierschicht in Kontakt. der Seitebereich steht an der Stufenfläche mit der Gateisolierschicht in Kontakt und ist mit dem zweiten Bereich verbunden.