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Halbleiterbauelement mit zumindest einem Halbleiterchip (20) auf einem als Substrat dienenden Basischip (10), bei dem – der zumindest eine Halbleiterchip (20) und der Basischip (10) Kontaktflächen (11, 21) aus Metall aufweisen, die über jeweilige Durchkontaktierungen (15, 25) Kontaktpads (14, 24) in einer jeweiligen obersten Metallage des Halbleiterchips (20) und des Basischips (10) kontaktieren, – der zumindest eine Halbleiterchip (20) und der Basischip (10) jeweils zumindest eine weitere Metallfläche (13, 23) aufweisen, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, und die keinen elektrisch leitenden Kontakt zu den Kontaktpads (14, 24) aufweisen, – der zumindest eine Halbleiterchip so zu dem Basischip hin ausgerichtet ist, dass einander zugeordnete Kontaktflächen und einander gegenüberliegende weitere Metallflächen (13, 23) des zumindest einen Halbleiterchips und des Basischips einander zugewandt sind und die einander zugewandten Kontaktflächen und die einander zugewandten weiteren Metallflächen (13, 23) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, – der Basischip Bauelemente enthält, die in einer ersten Technologie gefertigt sind und – der zumindest eine Halbleiterchip Bauelemente enthält, die in einer zweiten Technologie gefertigt sind, bei dem – der Abstand zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche (21) des zumindest einen Halbleiterchips (20) und der damit verbundenen Kontaktfläche (11) des Basischips (10) weniger als 10 μm beträgt und – die einander zugewandten Kontaktflächen und weiteren Metallflächen über zumindest eine Metallschicht elektrisch leitend miteinander verbunden sind. |
