| 发明名称 | 用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有改进的器件性能的器件及其制造方法。示例性器件包括III-V族化合物半导体衬底，该III-V族化合物半导体衬底包括具有（110）晶体定向的表面、以及设置在III-V族化合物半导体衬底上方的栅叠层。栅叠层包括：设置在具有（110）晶体定向的表面上方的高-k介电层、以及设置在高-k介电层上方的栅电极。本发明还提供了用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向。 | ||
| 申请公布号 | CN103123930B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201210167343.8 | 申请日期 | 2012.05.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑兆钦;柯志欣;万幸仁 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：III‑V族化合物半导体衬底，包括具有(110)晶体定向的表面；以及栅叠层，设置在所述III‑V族化合物半导体衬底上方，其中，所述栅叠层包括：高‑k介电层，设置在具有所述(110)晶体定向的所述表面上方，以及栅电极层，设置在所述高‑k介电层上方，所述高‑k介电层和具有所述(110)晶体定向的所述表面之间的界面没有所述III‑V族化合物半导体衬底的本征氧化物。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||