| 发明名称 | 功率半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种接合体、功率半导体装置及它们的制造方法。首先，在第1金属板(101)中的接合部形成区域之上布置包含氧化膜去除剂的水溶液(103)。接下来，在配置了水溶液(103)的状态下，将第2金属板(102)载置于第1金属板(101)之上。然后，从上下方向对第1金属板(101)和第2金属板(102)彼此的接合部形成区域施加载荷，从而将第1金属板(101)和第2金属板(102)相互接合来形成接合部(110)，并制造接合体。 | ||
| 申请公布号 | CN103228394B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201280003849.3 | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 南尾匡纪;笹冈达雄 |
| 分类号 | B23K20/00(2006.01)I;H01L23/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | B23K20/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种功率半导体装置，具有接合体，其中，所述接合体在分别由金属构成的第1被接合部件及第2被接合部件的接合部的周围形成有防腐蚀膜，在所述接合部的周围，在所述第1被接合部件及所述第2被接合部件的每一个形成有倒角形状，在所述倒角形状的所述第1被接合部件及所述第2被接合部件的表面形成有所述防腐蚀膜。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||