| 摘要 |
1. Способ очистки системы селективного каталитического восстановления (СКВ), в котором восстановитель поступает в поток выхлопных газов выше по потоку относительно катализатора (260) СКВ, содержание NOв потоке выхлопных газов определяется выше и ниже по потоку относительно вышеупомянутого катализатора (260) СКВ, и кристаллы восстановителя удаляются с использованием высокотемпературной процедуры, отличающийся тем, что содержит этапы при которых:- определяют (s430) соотношение (K1) между относительным содержанием NO, определяемым ниже и выше по потоку относительно вышеупомянутого катализатора (260) СКВ при температуре (T1) вышеупомянутого катализатора (260) СКВ, при которой кристаллы восстановителя не испаряются,- повышают температуру (s440) потока выхлопных газов для испарения кристаллов восстановителя с тем, чтобы выполнить очистку,- определяют (s450) соотношение (Kn) между относительным содержанием NO, определяемым ниже и выше по потоку относительно вышеупомянутого катализатора (260) СКВ при температуре (T2) вышеупомянутого катализатора (260) СКВ, при которой испаряются кристаллы восстановителя,- сравнивают (s460) вышеупомянутые соотношения (K1, Kn) и используют это сравнение в качестве основания для принятия решения о том, были ли удалены кристаллы восстановителя в заданной степени.2. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап:- осуществления, когда определяется такая необходимость, дополнительного цикла очистки (s440), определения (s450) и сравнения (s460).3. Способ по п. 1 или 2, в котором очистка происходит при более высокой температуре (T3), чем температура (T2), при которой определяется вышеупомянутое соотношение (Kn) и испаряются кристаллы восстановителя.4. Способ по п. 1 или 2, в котором этап определения (s430) вышеупо |
