| 摘要 |
패터닝된 이종(heterogeneous) 구조체들 상의 실리콘 질화물을 에칭하는 방법이 설명되고, 그 방법은 불소 함유 전구체와 질소-및-산소 함유 전구체로부터 형성되는 원격 플라즈마 에칭을 포함한다. 두 원격 플라즈마로부터의 플라즈마 배출물들은 기판 처리 영역 내로 유동되고, 기판 처리 영역에서 플라즈마 배출물들은 실리콘 질화물과 반응한다. 플라즈마 배출물들은 패터닝된 이종 구조체들과 반응하여, 폴리실리콘과 같은 실리콘을 매우 서서히 제거하면서, 실리콘 질화물을 선택적으로 제거한다. 실리콘 질화물 선택도는, 직렬로 또는 병렬로 있을 수 있는 별개의 (그러나 중첩하지 않는) 플라즈마들 통로들을 이용한 불소 함유 전구체와 질소-및-산소 함유 전구체의 도입으로부터 부분적으로 기인한다. |
