DEVICE AND METHOD FOR MEASURING SILICON TEMPERATURE AND OVERHEATING PROTECTION OF INSULATED GATE BIPOLAR POWER TRANSISTORS

摘要

Ovaj izum zasniva se na činjenici da napon praga učinskih bipolarnih tranzistora s izoliranom upravljačkom elektrodom linearno opada s porastom temperature silicija. Napon praga temeljem ovog izuma određuje se detekcijom napona između upravljačkog i učinskog priključka emitera tranzistora. Temperatura silicija određuje se iz tako izmjerenog napona praga na temelju unaprijed određene linearne temperaturne ovisnosti napona praga o temperaturi silicija za određeni tranzistor. Tako izmjereni napon praga koristiti se za izvedbu nadtemperaturne zaštite i za mjerenje temperature silicija u realnom vremenu u pogonskim uvjetima. Crtež 2. prikazuje blok shemu uređaja (1) za mjerenje temperature silicija i nadtemperaturnu zaštitu učinskih bipolarnih tranzistora (20) s izoliranom upravljačkom elektrodom. Uređaj (1) sastoji se od sklopa (2) za detekciju pojave napona između upravljačkog i učinskog priključka emitera tranzistora, sklopa (3) za nadtemperaturnu zaštitu i mjerenje temperature silicija i sklopa (4) za uklapanje i isklapanje tranzistora (20).