Vorrichtungen und Verfahren für die Transceiver-Schnittstellen-Überspannungsbegrenzung

摘要

Es werden Vorrichtungen und Verfahren für die Transceiver-Schnittstellenüberspannungsbegrenzung bereitgestellt. In bestimmten Konfigurationen enthält eine Schnittstelleneinrichtung ein erstes p-Wannengebiet und ein zweites p-Wannengebiet in einer n-Isolierstruktur. Zusätzlich enthält die Begrenzungseinrichtung ein erstes aktives p-Gebiet und ein erstes aktives n-Gebiet in dem ersten p-Wannengebiet, die mit einem ersten Anschluss der Begrenzungseinrichtung elektrisch verbunden sind. Darüber hinaus enthält die Begrenzungseinrichtung ein zweites aktives p-Gebiet und ein zweites aktives n-Gebiet in dem zweiten p-Wannengebiet, die mit einem zweiten Anschluss der Begrenzungseinrichtung elektrisch verbunden sind. Die n-Isolierstruktur befindet sich in einem p-Gebiet eines Halbleitersubstrats und isoliert das erste und das zweite p-Wannengebiet elektrisch von dem p-Substratgebiet. Ferner enthält die Begrenzungseinrichtung eine Blockierspannungs-Abstimmstruktur, die zwischen dem ersten und dem zweiten aktiven n-Gebiet positioniert ist.